د LED رڼا لومړنۍ سرچینه، د سیمیکمډکټر P-جنکشن د رڼا-د جذبولو اصولو په کارولو سره، د 1960 لسیزې په لومړیو کې اختراع شوې. هغه مواد چې په هغه وخت کې کارول شوي و GaAsP، د سور رڼا (λp=650nm) خارجوي. د 20 mA د چلولو جریان سره، روښانه فلکس د لیمین یوازې څو زره برخه وه، چې په پایله کې یې تقریبا د 0.1 لیمین / واټ روښانه موثریت دی.
د 1970 لسیزې په مینځ کې، د In او N عناصرو معرفي LEDs ته توان ورکړ چې شنه (λp=555nm)، ژیړ (λp=590nm)، او نارنجي (λp=610nm) رڼا تولید کړي، او د روښانه موثریت 1 lumen/watt ته وده ورکړل شوه.
د 1980 لسیزې په لومړیو کې، د GaAlAs LED رڼا سرچینې راڅرګندې شوې، د سور LEDs توان ورکوي چې د 10 lumens/watt روښانه موثریت ترلاسه کړي.
د 1990 لسیزې په لومړیو کې، د دوو نویو موادو بریالۍ پراختیا-GaAlInP (سور او ژیړ رڼا) او GaInN (شین او نیلي رڼا خپروي)-د پام وړ د LEDs روښانه موثریت ښه کړ. په 2000 کې، پخوانیو په سور او نارنجي سیمو (λp=615nm) کې د 100 lumens د فی واټ روښانه موثریت سره LEDs تولید کړل، په داسې حال کې چې وروستي LEDs په شنه سیمه کې د 50 lumens فی واټ روښانه موثریت سره تولید کړل (λp=530nm).
